ON Semiconductor BSR58LT1G
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BSR58LT1G
1807-BSR58LT1G
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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JFET N-CH 40V 350MW SOT23
1最小包装量--
BSR58LT1G详情
ON Semiconductor BSR58LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
50mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BSR58
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
CHOPPER
漏源电压 (Vdss)
40V
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
漏极-源极导通最大电阻
60Ohm
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
8mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
800mV @ 1μA
电阻-RDS(On)
60Ohm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSR58LT1G拓展信息
ON Semiconductor
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