ON Semiconductor BU807
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BU807
1807-BU807
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220
--最小包装量--
BU807详情
ON Semiconductor BU807重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
Number of Elements
1
Current-Collector (Ic) (Max)
8A
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
150V
已出版
2000
包装
Bulk
操作温度
150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
150V
最大功率耗散
60W
额定电流
8A
基本部件号
BU807
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
60W
功率 - 最大
60W
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
150V
最大集电极电流
8A
最大集极截止电流
100μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 50mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
集电极基极电压(VCBO)
330V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
连续集电极电流
8A
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BU807拓展信息
ON Semiconductor
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