ON Semiconductor BUL146
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BUL146
1807-BUL146
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
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TRANS NPN 400V 6A TO-220AB
--最小包装量--
BUL146详情
ON Semiconductor BUL146重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
930mV
Current-Collector (Ic) (Max)
6A
Number of Elements
1
hFEMin
5
已出版
2009
系列
SWITCHMODE™
包装
Tube
操作温度
-65°C~150°C TJ
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
可提供引线框架选项
电压 - 额定直流
400V
最大功率耗散
100W
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
8A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
BUL146
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
14MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
700mV
最大集电极电流
6A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
14 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100μA
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 600mA, 3A
转换频率
14MHz
集电极基极电压(VCBO)
700V
发射极基极电压 (VEBO)
9V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BUL146拓展信息
ON Semiconductor
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