ON Semiconductor BUV22

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

系列

SWITCHMODE™

已出版

2006

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

250V

最大功率耗散

250W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

40A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

8MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

40A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 10A 4V

最大集极截止电流

3mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 2.5A, 20A

转换频率

8MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅