ON Semiconductor BZX85C6V2-T50A

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AL, DO-41, Axial

触点镀层

Tin

引脚数

2

质量

245mg

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C

包装

Tape & Box (TB)

容差

±6%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

额定功率

1W

电压 - 额定直流

6.2V

最大功率耗散

1W

终端形式

WIRE

基本部件号

BZX85C6V2

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

4Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1μA @ 3V

功率耗散

1W

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

1μA

阻抗-最大

4Ohm

测试电流

35mA

参考电压

6.2V

齐纳电压

6.2V

最大电压允差

5%

电压允差

5%

ESD保护

无

齐纳电流

35mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅