ON Semiconductor CAT28F020NI-90
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CAT28F020NI-90
1807-CAT28F020NI-90
连接器,连接线
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IC 256K X 8 FLASH 12V PROM, 90 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM
1最小包装量--
CAT28F020NI-90详情
ON Semiconductor CAT28F020NI-90重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
32
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
NOR
Package Description
QCCJ, LDCC32,.5X.6
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
90 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
CAT28F020NI-90
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.33
Part Package Code
QFJ
类型
NOR型号
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
闪存
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.75 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
内存大小
256 kB
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
访问时间
90 ns
数据总线宽度
8 b
组织结构
256KX8
座位高度-最大
3.55 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0001 A
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
FLASH
编程电压
12 V
耐力
100000 Write/Erase Cycles
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
宽度
11.43 mm
长度
13.97 mm
CAT28F020NI-90拓展信息
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