ON Semiconductor CAT93C66VI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

Package

Bulk

Base Product Number

CAT93C66

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

SOP, SOP8,.25

Package Style

小概要

Number of Words Code

256

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CAT93C66VI

Clock Frequency-Max (fCLK)

0.5 MHz

Number of Words

256 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5

Part Package Code

SOIC

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

1000000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEAR DATA RETENTION

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

EEPROM

电压 - 供电

2.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

6 V

电源

3/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

内存大小

4Kbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

2 MHz

电源电流-最大值

0.003 mA

访问时间

250 ns

内存格式

EEPROM

内存接口

Microwire

组织结构

256X16

座位高度-最大

1.75 mm

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

-

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

4096 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

MICROWIRE

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

数据保持时间

100

写入保护

SOFTWARE

备用内存宽度

8

组织的记忆

256 x 16, 512 x 8

宽度

3.9 mm

长度

4.9 mm