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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.889657
10
¥6.49968
100
¥6.131773
500
¥5.78469
1000
¥5.457257
ON Semiconductor CPH5518-TL-H
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- 对比
CPH5518-TL-H
1807-CPH5518-TL-H
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74A, SOT-753
大陆
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TRANS NPN/PNP 80V/50V 1A 5CPH
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH5518-TL-H详情
ON Semiconductor CPH5518-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74A, SOT-753
表面安装
YES
引脚数
5
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
90mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.2W
引脚数量
5
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
无卤素
无卤素
增益带宽积
420MHz
晶体管类型
NPN, PNP (Emitter Coupled)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
190mV @ 10mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V 50V
最高频率
420MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH5518-TL-H拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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