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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.709001
10
¥5.385849
100
¥5.080991
500
¥4.793387
1000
¥4.522068
ON Semiconductor CPH5871-TL-W
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- 对比
CPH5871-TL-W
1807-CPH5871-TL-W
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74A, SOT-753
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MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH5871-TL-W详情
ON Semiconductor CPH5871-TL-W重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74A, SOT-753
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
900mW Ta
操作温度
-55°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
52m Ω @ 2A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
430pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
连续放电电流(ID)
3.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.052Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
CPH5871-TL-W拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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