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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.059204
10
¥0.999249
100
¥0.942689
500
¥0.889328
1000
¥0.838989
Diodes Incorporated DMN3065LW-7
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- 对比
DMN3065LW-7
671-DMN3065LW-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DMN3065LW-7详情
Diodes Incorporated DMN3065LW-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
质量
6.010099mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
770mW Ta
Turn Off Delay Time
10.3 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
基本部件号
DMN3065
JESD-30代码
R-PDSO-G3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
1.9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
52m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
465pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.7nC @ 10V
上升时间
1.6ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
漏极-源极导通最大电阻
0.052Ohm
DS 击穿电压-最小值
30V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
DMN3065LW-7拓展信息
Diodes Incorporated
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