ON Semiconductor DTC123TET1G
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DTC123TET1G
1807-DTC123TET1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SC-75, SOT-416
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NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
--最小包装量--
DTC123TET1G详情
ON Semiconductor DTC123TET1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-75, SOT-416
表面安装
YES
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
hFEMin
160
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
内置偏置电阻
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电阻基(R1)
2.2 k Ω
连续集电极电流
100mA
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DTC123TET1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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