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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.918752
500
¥0.675548
1000
¥0.562959
2000
¥0.516478
5000
¥0.482687
10000
¥0.449014
15000
¥0.434243
50000
¥0.426992
ON Semiconductor DTC143E
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- 对比
DTC143E
1807-DTC143E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
--
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
DTC143E详情
ON Semiconductor DTC143E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
TO-226AA, 3 PIN
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DTC143E
Package Shape
ROUND
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.32
Part Package Code
TO-92
系列
*
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
JEDEC-95代码
TO-92
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
50 V
DTC143E拓展信息
ON Semiconductor
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