DTC144TM3T5G
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ON Semiconductor DTC144TM3T5G

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型号

DTC144TM3T5G

utmel 编号

1807-DTC144TM3T5G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

封装

SOT-723

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

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DTC144TM3T5G
DTC144TM3T5G ON Semiconductor Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN

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DTC144TM3T5G详情

ON Semiconductor DTC144TM3T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-723

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    250mV

  • Number of Elements

    1

  • hFEMin

    120

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 附加功能

    BUILT-IN BIAS RESISTOR

  • 电压 - 额定直流

    50V

  • 最大功率耗散

    260mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 额定电流

    100mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    DTC144

  • 引脚数量

    3

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    260mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 无卤素

    无卤素

  • 晶体管类型

    NPN - Pre-Biased

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 1mA, 10mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 电阻基(R1)

    47 k Ω

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 高度

    550μm

  • 长度

    1.25mm

  • 宽度

    850μm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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DTC144TM3T5G拓展信息

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