ON Semiconductor ECH8502-TL-H

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

13 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SMD, Flat Lead

表面安装

YES

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

1.6W

端子位置

DUAL

引脚数量

8

极性

NPN, PNP

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS

功率耗散

1.6W

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

120mV @ 125mA, 2.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V 50V

转换频率

290MHz

频率转换

290MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅