ON Semiconductor NSS40601CF8T1G
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NSS40601CF8T1G
1807-NSS40601CF8T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
8-SMD, Flat Lead
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TRANS NPN 40V 6A 1206A CHIPFET
1最小包装量--
NSS40601CF8T1G详情
ON Semiconductor NSS40601CF8T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
2 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
表面安装
YES
包装/外壳
8-SMD, Flat Lead
安装类型
表面贴装
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
200
Number of Elements
1
Collector-Emitter Saturation Voltage
135mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.4W
端子位置
DUAL
终端形式
C 弯管
频率
140MHz
基本部件号
NSS40601
引脚数量
8
元素配置
Single
功率耗散
1.4W
功率 - 最大
830mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
增益带宽积
140MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
40V
最大集电极电流
6A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
135mV @ 400mA, 4A
转换频率
140MHz
最大击穿电压
40V
集电极基极电压(VCBO)
40V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
接通时间-最大值(ton)
240ns
宽度
1.7mm
长度
3.1mm
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
NSS40601CF8T1G拓展信息
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