ON Semiconductor ESD8018MUTAG

工厂交货时间

1 Week

包装/外壳

UDFN-10

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

10

Number of Elements per Chip

8

Supplier Package

uDFN

Direction Type

Uni-Directional

ESD Protection Voltage

±17@Contact Disc/±17@Air Disc kV

Mounting

表面贴装

Cd - Diode Capacitance

0.32 pF

Breakdown Voltage / V

5.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Vesd - Voltage ESD Contact

17 kV

Unit Weight

0.002803 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Ipp - Peak Pulse Current

16 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.8 W

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

17 kV

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

R-PDSO-N10

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

517CY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

ESD8018MUTAG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

8

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

ESD Suppressors / TVS Diodes ESD Protection Diode

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Breakdown Voltage-Nom

7 V

Risk Rank

1.63

操作温度

-55 to 125 °C

包装

MouseReel

系列

*

无铅代码

有

类型

Diode Arrays

端子表面处理

Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)

附加功能

超低电容

电容量

0.32 pF

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

10

参考标准

IEC-61000-4-2, 4-5

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

R-PDSO-N10

Brand Name

安森美半导体

工作电压

3.3 V

极性

单向

配置

Array 8

通道数量

8 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箝位电压

8.4 V

产品类别

ESD抑制器

Rep Pk反向电压-最大值

3.3 V

反向电流-最大值

1 µA

击穿电压-最小值

5.5 V

最大箝位电压

4.8 V

反向测试电压

3.3 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes