ON Semiconductor FCA20N60-F109

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Turn Off Delay Time

230 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

190MOhm

端子表面处理

哑光锡

基本部件号

FCA20N60

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

接通延迟时间

62 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3080pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 10V

上升时间

140ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

65 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

690 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅