ON Semiconductor FCB20N60F-F085

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

405W Tc

Turn Off Delay Time

211 ns

Number of Elements

1

系列

Automotive, AEC-Q101, SuperFET™

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

基本部件号

FCB20N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

405W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

43 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

195m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2035pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

102nC @ 10V

上升时间

66ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅