FCP22N60N
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ON Semiconductor FCP22N60N

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型号

FCP22N60N

utmel 编号

1807-FCP22N60N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

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FCP22N60N
FCP22N60N ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

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FCP22N60N详情

ON Semiconductor FCP22N60N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-220-3

  • 质量

    1.8g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    22A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    205W Tc

  • Turn Off Delay Time

    49 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    SupreMOS™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    165mOhm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    205W

  • 接通延迟时间

    16.9 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    165mOhm @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1950pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    45nC @ 10V

  • 上升时间

    16.7ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • Vgs(最大值)

    ±45V

  • 下降时间(典型值)

    4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    22A

  • 阈值电压

    3V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    600V

  • 输入电容

    1.95nF

  • 恢复时间

    53 ns

  • 漏源电阻

    140mOhm

  • 最大rds

    165 mΩ

  • 栅源电压

    3 V

  • 高度

    9.4mm

  • 长度

    10.67mm

  • 宽度

    4.83mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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