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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥36.413111
10
¥34.351991
100
¥32.407538
500
¥30.57315
1000
¥28.842594
Infineon Technologies SPP07N60C3XKSA1
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- 对比
SPP07N60C3XKSA1
1211-SPP07N60C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPP07N60C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP07N60C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
7.3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
83W Tc
Turn Off Delay Time
60 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
650V
额定电流
7.3A
功率耗散
83W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 350μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
790pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
3.5ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
7.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
漏源击穿电压
650V
输入电容
790pF
漏源电阻
600mOhm
最大rds
600 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP07N60C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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