ON Semiconductor FCU5N60TU

工厂交货时间

36 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

质量

343.08mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

54W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

600V

额定电流

4.6A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

54W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950m Ω @ 2.3A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.95Ohm

漏源击穿电压

600V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅