ON Semiconductor FDB0190N807L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

引脚数

7

质量

1.312g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

270A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 250W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G6

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.7m Ω @ 34A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

19110pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

249nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

270A

阈值电压

2.9V

JEDEC-95代码

TO-263CB

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1440A

DS 击穿电压-最小值

80V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant