ON Semiconductor FDB8832

工厂交货时间

10 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

2

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

54 ns

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Ta 80A Tc

系列

PowerTrench®

已出版

2006

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.9m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

11400pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

265nC @ 10V

上升时间

73ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

38 ns

反向恢复时间

59 ns

连续放电电流(ID)

80A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

34A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

栅源电压

1.6 V

宽度

11.33mm

长度

10.67mm

高度

4.83mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅