ON Semiconductor FDC021N30
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FDC021N30
1807-FDC021N30
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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PT8 N 30V/20V, MOSFET
--最小包装量--
FDC021N30详情
ON Semiconductor FDC021N30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
26m Ω @ 6.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
710pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10.8nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
6.1A
阈值电压
1.8V
JEDEC-95代码
MO-193AA
DS 击穿电压-最小值
30V
反馈上限-最大值 (Crss)
30 pF
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDC021N30拓展信息
ON Semiconductor
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