ON Semiconductor FDC2612
- 收藏
- 对比
FDC2612
1807-FDC2612
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

Transistor, Mosfet, N-channel, 200V V(br)dss, 1.1A I(d), TSOP
--最小包装量--
FDC2612详情
ON Semiconductor FDC2612重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
15 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
725MOhm
电压 - 额定直流
200V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
1.1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
725m Ω @ 1.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
234pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
6ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
1.1A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
200V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDC2612拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。