ON Semiconductor FDC3535
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FDC3535
1807-FDC3535
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench
--最小包装量--
FDC3535详情
ON Semiconductor FDC3535重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.1A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
23 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.6W
接通延迟时间
6.5 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
183m Ω @ 2.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
880pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
3.1ns
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.9 ns
连续放电电流(ID)
-2.1A
阈值电压
-1.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-80V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
-1.6 V
反馈上限-最大值 (Crss)
40 pF
高度
1.1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDC3535拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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