FDFC2P100
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ON Semiconductor FDFC2P100

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型号

FDFC2P100

utmel 编号

1807-FDFC2P100

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV

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FDFC2P100
FDFC2P100 ON Semiconductor FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV

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FDFC2P100详情

ON Semiconductor FDFC2P100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 引脚数

    6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Power Dissipation (Max)

    1.5W Ta

  • Turn Off Delay Time

    12 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率耗散

    1.5W

  • 正向电流

    1mA

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    150m Ω @ 3A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    445pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.7nC @ 10V

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 下降时间(典型值)

    11 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3A

  • 阈值电压

    -900mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    12V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDFC2P100相似的参数规格。

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FDFC2P100拓展信息

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