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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.614438
10
¥2.466454
100
¥2.326846
500
¥2.195132
1000
¥2.070881
ON Semiconductor FDFC2P100
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- 对比
FDFC2P100
1807-FDFC2P100
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDFC2P100详情
ON Semiconductor FDFC2P100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率耗散
1.5W
正向电流
1mA
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
445pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4.7nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3A
阈值电压
-900mV
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
-20V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
FDFC2P100拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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