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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.459181
10
¥4.206773
100
¥3.968654
500
¥3.744014
1000
¥3.532086
Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TA
- 收藏
- 对比
ZXMN2A01E6TA
671-ZXMN2A01E6TA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
大陆
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MOSFET 20V N-Chnl UMOS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ZXMN2A01E6TA详情
Diodes Incorporated ZXMN2A01E6TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
17 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
引脚数
6
质量
14.996898mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.1W Ta
Turn Off Delay Time
7.47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低阈值
电压 - 额定直流
20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
2.5A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
6
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.7W
接通延迟时间
2.49 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
303pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 4.5V
上升时间
5.21ns
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
5.21 ns
连续放电电流(ID)
3.1A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
漏源击穿电压
20V
高度
1.3mm
长度
3.1mm
宽度
1.8mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
ZXMN2A01E6TA拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
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