ON Semiconductor FDFME2P823ZT

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFDFN Exposed Pad

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.4W Ta

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

ESD PROTECTION

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.7 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

142m Ω @ 2.3A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

405pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.7nC @ 4.5V

上升时间

4.8ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

2.6A

阈值电压

-600mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3A

漏源击穿电压

-20V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

栅源电压

-600 mV

反馈上限-最大值 (Crss)

75 pF

高度

550μm

长度

1.6mm

宽度

1.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准