ON Semiconductor FDFS6N548

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

187mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

23MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

6 ns

正向电流

2mA

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

2ns

Vgs（最大值）

±20V

正向电压

450mV

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30A

双电源电压

30V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)

栅源电压

1.8 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅