ON Semiconductor FDG313N

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

950mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

750mW Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

450mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

25V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

950mA

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

750mW

接通延迟时间

3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

450m Ω @ 500mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.3nC @ 4.5V

上升时间

8.5ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

8.5 ns

连续放电电流(ID)

950mA

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.95A

漏源击穿电压

25V

高度

1mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅