Infineon Technologies IPI120N04S302AKSA1

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 230μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2007

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.3m Ω @ 80A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

210nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

120A

最大双电源电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

雪崩能量等级（Eas）

1880 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅