ON Semiconductor FDMA7632
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FDMA7632
1807-FDMA7632
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2
--最小包装量--
FDMA7632详情
ON Semiconductor FDMA7632重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta
Turn Off Delay Time
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子位置
DUAL
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
900mW
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
19m Ω @ 9A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
760pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
上升时间
2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2 ns
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
30V
最大结点温度(Tj)
150°C
栅源电压
2.1 V
反馈上限-最大值 (Crss)
40 pF
高度
850μm
长度
2mm
宽度
2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMA7632拓展信息
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