Infineon Technologies IRF7862TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

18 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.3MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4090pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 4.5V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

350 mJ

栅源电压

2.35 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅