ON Semiconductor FDMC2610

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

165.33333mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A Ta 9.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 42W Tc

Turn Off Delay Time

29 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UniFET™

已出版

2017

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

200MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

电压 - 额定直流

220V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

9.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

960pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 10V

上升时间

13ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

9.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2A

漏源击穿电压

200V

高度

950μm

长度

3mm

宽度

3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅