ON Semiconductor FDMC610P

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

32.13mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Turn Off Delay Time

193 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 48W Tc

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.9m Ω @ 22A, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1250pF @ 6V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

99nC @ 4.5V

上升时间

37ns

漏源电压 (Vdss)

12V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

87 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

MO-240BA

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

22A

漏极-源极导通最大电阻

0.0039Ohm

漏源击穿电压

-12V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

高度

1mm

长度

3.4mm

宽度

3.4mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant