ON Semiconductor FDMC610P
- 收藏
- 对比
FDMC610P
1807-FDMC610P
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
--最小包装量--
FDMC610P详情
ON Semiconductor FDMC610P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
32.13mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.4W Ta 48W Tc
Turn Off Delay Time
193 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-N5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.9m Ω @ 22A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1250pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
99nC @ 4.5V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
12V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
87 ns
连续放电电流(ID)
80A
JEDEC-95代码
MO-240BA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
22A
漏极-源极导通最大电阻
0.0039Ohm
漏源击穿电压
-12V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
高度
1mm
长度
3.4mm
宽度
3.4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC610P拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。