FDMC610P
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ON Semiconductor FDMC610P

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型号

FDMC610P

utmel 编号

1807-FDMC610P

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET P-CH 12V 80A POWER33

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FDMC610P
FDMC610P ON Semiconductor MOSFET P-CH 12V 80A POWER33

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FDMC610P详情

ON Semiconductor FDMC610P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 引脚数

    8

  • 质量

    32.13mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    80A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2.4W Ta 48W Tc

  • Turn Off Delay Time

    193 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    S-PDSO-N5

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.9m Ω @ 22A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1250pF @ 6V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    99nC @ 4.5V

  • 上升时间

    37ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    12V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    87 ns

  • 连续放电电流(ID)

    80A

  • JEDEC-95代码

    MO-240BA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    22A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.0039Ohm

  • 漏源击穿电压

    -12V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200A

  • 高度

    1mm

  • 长度

    3.4mm

  • 宽度

    3.4mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: ON Semiconductor FDMC610P.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FDMC610P相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Number of Terminations
    查看对比:
  • FDMC610P

    FDMC610P

    Surface Mount

    8-PowerTDFN

    12V

    80 A

    80A (Tc)

    8 V

    2.4W (Ta), 48W (Tc)

    5

  • STL100N1VH5

    Surface Mount

    8-PowerVDFN

    -

    100 A

    100A (Tc)

    8 V

    60W (Tc)

    5

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