STMicroelectronics STL100N1VH5

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ V

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

3MOhm

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

基本部件号

STL100

引脚数量

8

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3m Ω @ 12.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

500mV @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2085pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26.5nC @ 4.5V

上升时间

31.6ns

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

16 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

500mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

12V

雪崩能量等级（Eas）

300 mJ

高度

950μm

长度

5.2mm

宽度

6.15mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅