ON Semiconductor FDMC6688P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

26.8mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 30W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5m Ω @ 14A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7435pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

56A

JEDEC-95代码

MO-240BA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

14A

漏极-源极导通最大电阻

0.0065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

226A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant