注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.086239
10
¥9.515322
100
¥8.976716
500
¥8.468603
1000
¥7.989243
ON Semiconductor FDMC7582
- 收藏
- 对比
FDMC7582
1807-FDMC7582
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDMC7582详情
ON Semiconductor FDMC7582重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
32.13mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
16.7A Ta 49A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.3W Ta 52W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
JESD-30代码
S-PDSO-N5
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5m Ω @ 16.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1795pF @ 13V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
28nC @ 10V
上升时间
2ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
1.6 ns
连续放电电流(ID)
16.7A
JEDEC-95代码
MO-229
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
49A
漏极-源极导通最大电阻
0.005Ohm
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
高度
1.05mm
长度
3.3mm
宽度
3.3mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDMC7582拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。