ON Semiconductor FDMC7582

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

32.13mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16.7A Ta 49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 52W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 16.7A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1795pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

上升时间

2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1.6 ns

连续放电电流(ID)

16.7A

JEDEC-95代码

MO-229

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

49A

漏极-源极导通最大电阻

0.005Ohm

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

长度

3.3mm

高度

1.05mm

宽度

3.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant