ON Semiconductor FDMC7680

工厂交货时间

23 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

质量

165.33333mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.8A Ta

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 31W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.2MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2m Ω @ 14.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2855pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42nC @ 10V

上升时间

4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

14.8A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

栅源电压

2 V

长度

3.3mm

高度

750μm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅