ON Semiconductor FDMC8327L

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)

包装/外壳

8-PowerWDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

180mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A Ta 14A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

20 ns

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 30W Tc

Number of Elements

1

已出版

2017

系列

PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.7m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1850pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

2.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.2 ns

连续放电电流(ID)

12A

阈值电压

1.7V

JEDEC-95代码

MO-240BA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0097Ohm

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

800μm

宽度

3.3mm

长度

3.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC