ON Semiconductor FDMC8651

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

34 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

32.13mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A Ta 20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.3W Ta 41W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

6.1MOhm

端子表面处理

Nickel/Palladium (Ni/Pd)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N5

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.1m Ω @ 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3365pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27.2nC @ 4.5V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

15A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

64A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.1 V

高度

1.05mm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅