STMicroelectronics STS14N3LLH5
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STS14N3LLH5
2381-STS14N3LLH5
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N-channel 30 V
--最小包装量--
STS14N3LLH5详情
STMicroelectronics STS14N3LLH5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.7W Tc
Turn Off Delay Time
22.7 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ V
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
6mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
STS14
引脚数量
8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.7W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
上升时间
14.5ns
Vgs(最大值)
±22V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
7A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
22V
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56A
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STS14N3LLH5拓展信息
STMicroelectronics
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