ON Semiconductor FDMS3016DC

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

90mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta 49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.3W Ta 60W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Dual Cool™, PowerTrench®

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

终端形式

FLAT

JESD-30代码

R-PDSO-F5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

60W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1385pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

上升时间

3ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

18A

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

49A

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

高度

1.05mm

长度

5.1mm

宽度

5.85mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准