ON Semiconductor NVTFS4C06NWFTAG

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 37W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

JESD-30代码

S-PDSO-F5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

37W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1683pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

26nC @ 10V

上升时间

28ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3 ns

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

367A

雪崩能量等级（Eas）

34 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅