ON Semiconductor FDMS86369-F085

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

质量

172.8mg

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

107W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N5

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2470pF @ 40V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

65A

漏极-源极导通最大电阻

0.0075Ohm

雪崩能量等级（Eas）

27 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant