ON Semiconductor FDMS86500L

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

18 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

68.1mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Ta 80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 104W Tc

Turn Off Delay Time

63 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.5MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

27 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12530pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

165nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7.8 ns

连续放电电流(ID)

25A

阈值电压

1.8V

JEDEC-95代码

MO-240AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

240 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.8 V

高度

1.1mm

长度

5mm

宽度

6mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅