ON Semiconductor FDMT800100DC

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

质量

248.52072mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 162A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.2W Ta 156W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Dual Cool™, PowerTrench®

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-PDSO-N3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.95m Ω @ 24A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7835pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

111nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

162A

漏极-源极导通最大电阻

0.00295Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

1536 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅