ON Semiconductor NDS335N
- 收藏
- 对比
NDS335N
1807-NDS335N
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
--最小包装量--
NDS335N详情
ON Semiconductor NDS335N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SuperSOT-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.7A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW Ta
Turn Off Delay Time
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
1.7A
元素配置
Single
功率耗散
500mW
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110mOhm @ 1.7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
240pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 4.5V
上升时间
29ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
8V
下降时间(典型值)
29 ns
连续放电电流(ID)
1.7A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
20V
输入电容
240pF
漏源电阻
140mOhm
最大rds
110 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NDS335N拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor









哦! 它是空的。