NDS335N
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ON Semiconductor NDS335N

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型号

NDS335N

utmel 编号

1807-NDS335N

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDS335N
NDS335N ON Semiconductor MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

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NDS335N详情

ON Semiconductor NDS335N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SuperSOT-3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.7A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.7V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    500mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    28 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    1998

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    20V

  • 额定电流

    1.7A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    500mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    110mOhm @ 1.7A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    240pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    9nC @ 4.5V

  • 上升时间

    29ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    8V

  • 下降时间(典型值)

    29 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    20V

  • 输入电容

    240pF

  • 漏源电阻

    140mOhm

  • 最大rds

    110 mΩ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor NDS335N.

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